电子类笔试题和面试题答案(2)

更新时间:2018-11-22 15:48作者:李天扬老师

      64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要,请问:a) 你所知道的可编程逻辑器件有哪些? b) 试用vhdl或verilog、able描述8位d触发器逻辑。(汉王笔试)

      pal,pld,cpld,fpga。

      module dff8(clk , reset, d, q);

      input clk;

      input reset;

      input d;

      output q;

      reg q;

      always @ (posedge clk or posedge reset)

      if(reset)

      q <= 0;

      else

      q <= d;

      endmodule

      65、请用hdl描述四位的全加法器、5分频电路。(仕兰微电子)

      66、用verilog或vhdl写一段代码,实现10进制计数器。(未知)

      67、用verilog或vhdl写一段代码,实现消除一个glitch。(未知)

      68、一个状态机的题目用verilog实现(不过这个状态机画的实在比较差,很容易误解的)。(

      威盛via 2003.11.06 上海笔试试题)

      69、描述一个交通信号灯的设计。(仕兰微电子)

      70、画状态机,接受1,2,5分钱的卖报机,每份报纸5分钱。(扬智电子笔试)

      71、设计一个自动售货机系统,卖soda水的,只能投进三种硬币,要正确的找回钱数。(1)画出fsm(有限状态机);(2)用verilog编程,语法要符合fpga设计的要求。(未知)

      72、设计一个自动饮料售卖机,饮料10分钱,硬币有5分和10分两种,并考虑找零:(1)画出fsm(有限状态机);(2)用verilog编程,语法要符合fpga设计的要求;(3)设计工程中可使用的工具及设计大致过程。(未知)

      73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之。(威盛)

      74、用fsm实现101101的序列检测模块。(南山之桥)

      a为输入端,b为输出端,如果a连续输入为1101则b输出为1,否则为0。例如a: 0001100110110100100110

      b: 0000000000100100000000

      请画出state machine;请用rtl描述其state machine。(未知)

      75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串(分状态用状态机写)。(飞利浦-大唐笔试)

      76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器(包括空,满,半满信号)。(飞利浦-大唐笔试)

      77、现有一用户需要一种集成电路产品,要求该产品能够实现如下功能:y=lnx,其中,x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出,要求保留两位小数。电源电压为3~5v假设公司接到该项目后,交由你来负责该产品的设计,试讨论该产品的设计全程。(仕兰微电子)

      78、sram,falsh memory,及dram的区别?(新太硬件面试)

      79、给出单管dram的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 -14b),问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题,记不起来了。(降低温度,增大电容存储容量)(infineon笔试)

      80、please draw schematic of a common sram cell with 6 transistors,point out which nodes can store data and which node is word line control? (威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)

      81、名词:sram,ssram,sdram 名词irq,bios,usb,vhdl,sdr

      irq: interrupt request bios: basic input output system usb: universal serial bus

      vhdl: vhic hardware description language sdr: single data rate

      压控振荡器的英文缩写(vco)。动态随机存储器的英文缩写(dram)。

      名词解释,无聊的外文缩写罢了,比如pci、ecc、ddr、interrupt、pipeline irq,bios,usb,vhdl,vlsi vco(压控振荡器) r am (动态随机存储器),fir iir dft(离散傅立叶变换)或者是中文的,比如:a.量化误差 b.直方图 c.白平衡

    笔试精华继续

    二、ic设计基础(流程、工艺、版图、器件)

      1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、cmos、mcu、risc、cisc、dsp、asic、fpga等的概念)。(仕兰微面试题目)

      2、fpga和asic的概念,他们的区别。(未知)

      答案:fpga是可编程asic。

      asic:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。与门阵列等其它asic(application specific ic)相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点

      3、什么叫做otp片、掩膜片,两者的区别何在?(仕兰微面试题目)

      4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目)

      5、描述你对集成电路设计流程的认识。(仕兰微面试题目)

      6、简述fpga等可编程逻辑器件设计流程。(仕兰微面试题目)

      7、ic设计前端到后端的流程和eda工具。(未知)

      8、从rtl synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.(未知)

      9、asic的design flow。(威盛via 2003.11.06 上海笔试试题)

      10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。(威盛)

      11、集成电路前段设计流程,写出相关的工具。(扬智电子笔试)

      先介绍下ic开发流程:

      1.)代码输入(design input)

      用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述,生成hdl代码

      语言输入工具:summit visualhdl

      mentor renior

      图形输入: composer(cadence);

      viewlogic (viewdraw)

      2.)电路仿真(circuit simulation)

      将vhd代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确

      数字电路仿真工具:

      verolog: cadence verolig-xl

      synopsys vcs

      mentor modle-sim

      vhdl : cadence nc-vhdl

      synopsys vss

      mentor modle-sim

      模拟电路仿真工具:

      ***anti hspice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp

      3.)逻辑综合(synthesis tools)

      逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。

      12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目)

      13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素?(仕兰微面试题目)14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)

      15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题目)

      16、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)

      17、半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)

      18、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)

      19、解释latch-up现象和antenna effect和其预防措施.(未知)

      20、什么叫latchup?(科广试题)

      21、什么叫窄沟效应? (科广试题)

      22、什么是nmos、pmos、cmos?什么是增强型、耗尽型?什么是pnp、npn?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)

      23、硅栅coms工艺中n阱中做的是p管还是n管,n阱的阱电位的连接有什么要求?(仕兰微面试题目)

      24、画出cmos晶体管的cross-over图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。(infineon笔试试题)

      25、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。(科广试题)

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